韩联社首尔7月26日电 据三星电子26日消息，从本月起在三星平泽工厂使用第二代10纳米级工艺开始批量生产16千兆字节LPDDR4X（Low Power Double Data Rate 4X，第四代低功耗双数据速率）内存。这在业界尚属首例。

由此，三星电子在生产DRAM（动态随机存取内存）方面建立了更加稳定的供给体系。去年11月，三星电子成功量产第二代10纳米级8千兆字节DDR4 DRAM。

据三星电子分析，与2013年量产的20纳米级4千兆字节LPDDR3 DRAM相比，第二代10纳米级芯片速度和效率提高一倍。与搭载于最新旗舰智能手机的第一代10纳米级16千兆字节LPDDR4X相比，其耗电量可节省10%，可延长电池续航时间。

三星电子方面表示，今后继续扩大DRAM产能，致力于在内存市场引领“超高速、大容量、超省电”的趋势。（完）